此项技术由于其独特而突出的优点,已经在半导体材料掺杂,金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用,取得了巨大的经济效益和社会效益。
在完成离子注入之后,接下来就是清楚残余光刻胶的步骤了。
此刻,单晶硅内部的一部分硅原子已经被替换了,这些被替换的就可以产生自由的电子和空穴,到这个步骤其实也已经差不多了。
最后就算绝缘层的处理,利用复杂的技术完成绝缘层,然后用光刻技术在绝缘层上开孔,以方便已导出电极。
然后在利用沉淀铜层,在溅射法的帮助下,在硅片的表面形成铜层的布置,在用光刻技术进行全方位的雕刻,形成一个个有用的原件。
这一个步骤会出现数以百亿的集体管,然后在把这些晶体管连接起来,经过反反复复的工序和加工组,最终连通电路网络。
然后每一层完成cmp磨平之后,在开始cu立体化布线,开发出大马士革新的布线方式,镀上阻挡金属层之后,整体溅镀cu摸,在利用cmp将布线之外的cu阻挡,完成布线。
这就是芯片的全过程,可谓是无比的困难,其工艺结晶是人类几百年来全部的智慧,一片指甲盖大小的芯片,其制造难道比核武器还要困难,实在是对精度的要求太高了。
完成芯片之后就是晶圆测试。
经过上面的几道工艺之后,晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
由于每个芯片的拥有的晶粒数量是非常庞大的,完成一次针测试是一个非常复杂的过程,这要求在生产的时候尽量是同等芯片规格的大批量生产,毕竟数量越大相对成本就会越低。
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